Vahvlite puhastamine viitab protsessile, mille käigus kasutatakse keemiliste või füüsikaliste meetodite abil saasteainete ja oksiidide eemaldamist vahvli pinnalt integraallülituste valmistamisel, et täita vahvli pinna puhtusnõudeid. Vahvli puhastamise põhimõte on eemaldada erinevad lisandid ilma vahvlit kahjustamata.
Osakeste eemaldamiseks on neli peamist mehhanismi: lahustumine, oksüdatiivne lagunemine, elektriline tõrjumine osakeste ja räniplaadi pindade vahel ning räniplaadi pindade kerge korrosioon.
Metalliosakeste eemaldamiseks kasutatakse tavaliselt SC-2 lahust või HPM lahust, et vähendada metallisisaldust vahvli pinnal. SC-2 lahus läbib kristalliseerumise, mis võib pärast puhastamist suurendada osakeste arvu vahvli pinnal. Seetõttu võib metalliosakeste tõhusaks eemaldamiseks kasutada HCL asemel HF-i või SC-2 lahuse asemel kasutada O3 kombineerituna HF-ga.
Orgaaniliste saasteainete eemaldamiseks kasutatakse tavaliselt SPM lahust või UV/osooni keemilise puhastuse tehnoloogiat.
Pärast märgpuhastust tuleb vahvel enne järgmise protsessi alustamist põhjalikult kuivatada, et pinnale ei jääks veejälgi. Kolm kõige levinumat praegu saadaolevat kuivatusrežiimi on rotatsioonkuivatus, Marangoni kuivatamine ja kuuma isopropanooli pihustamise kuivatamine.
