KOMMENTEERITUD KOKKUVÕTE
Maskideta litograafia (otse{0}}kirjutussüsteemi) valimine on arenenud puhasruumi rajatise jaoks üks strateegilisemaid otsuseid. Kuigi maskideta tehnoloogia välistab füüsilise fotomaski hankimise kulud (säästab tuhandeid dollareid iga versiooni kohta) ja vähendab disaini töötsükleid nädalatelt minutitele, on seadmete valik sageli tehniliste kirjelduste põhimõttelise väärarusaama all.
Protsessiinsenerid ja hankemeeskonnad hindavad masinaid sageli ainult ühe "funktsiooni miinimumsuuruse" näitaja alusel müüja andmelehel. Fotolitograafia füüsikas esindavad isoleeritud kriitiline mõõde (CD) ja tihe minimaalne joon/ruum (L/S) perioodiline helikõrgus aga täiesti erinevaid optilisi režiime:
• Kriitiline mõõde (CD) määratleb kitsaima isoleeritud tunnuse (nt isoleeritud transistori pais või kontaktriba), mille optiline süsteem võib fotoresistile paljastada.
• Minimaalne joon/ruum (L/S) määrab väikseima korduva 1:1 joone ja kraavi perioodilise massiivi (nt tihedad optilised võred või suure -tihedusega ühendussiinid), mida süsteem saab tühjendada ilma sildade, rämpsude või lähedusmoonutusteta.
Masin, mis suudab printida 0,4 μm isoleeritud CD-d, võib tihedate perioodiliste massiivide mustrimisel nõuda minimaalselt 0,8 μm joont/ruumi, mis on tingitud õhupildi optiliste lähedusefektide, kiire{2}dooside kattumise ja kontrastsuse lävede tõttu. Seevastu sümmeetriliseks 1:1 modulatsiooniks loodud spetsiaalsed optilised süsteemid suudavad samaaegselt lahendada 0,5 μm CD-d 0,5 μm joone/ruumiga.
See juhend pakub ranget tehnilist raamistikku, et hinnata ettevõtte Nice-Techi maskideta litograafiasüsteeme (MLM 100, MLM 200, MLM 400 ja MLM 500) teie seadme täpse geomeetria, vastupidavuse keemia, fookussügavuse (DOF) ja puhta ruumi läbilaskevõime nõuetega.
1. SISSEJUHATUS: MIKS MÄRGIB GEOMEETIA SEADMETE VALIKU
Mikrotootmise puhastes ruumides on maskideta litograafiasüsteemid (tuntud ka kui otse-kirjutav litograafia, digitaalse mikropeegli seadme [DMD] projektsioon või ruumilise valguse modulaatori [SLM] süsteemid) muutnud kiire prototüüpimise, liitpooljuhtide valmistamise ja väikese -to{2}}mahulise tootmise. Kvartsfotomaskidel-füüsilise kroomi-välistamisel saavad insenerimeeskonnad reaalajas kujunduspaigutusi (GDSII- või OASIS-failid) korrata.
Õige masina valimiseks tuleb aga vaadata mööda pinnapealsetest{0}}turundusnõuetest. Kui potentsiaalsed ostjad küsivad seadmete võimaluste kohta, on kõige tavalisem päring lihtsalt: "Milline on selle masina eraldusvõime?"
Tootmislitograafias ei ole "eraldusvõime" üks arv. Optiline mootor käitub ühe isoleeritud joone paljastamisel teisiti kui sadade kõrvuti asetsevate paralleelsete joonte paljastamine üksteisest mikromeetrite kaugusel. Seadme konfiguratsiooni valimine isoleeritud CD põhjal, kui teie seade vajab tihedaid võrejooni, põhjustab paratamatult protsessi tõrkeid,{2}}mille tulemuseks on liinide sildumine, takistusteta alused või kuvasuhted. Ja vastupidi, kui teie seade sisaldab ainult 1,5 μm marsruutimisjälgi, lisab süsteemi üle-määratlemine tihedate alam-pool-mikroniliste joonte jaoks tarbetuid kapitalikulusid ja vähendab drastiliselt vahvli läbilaskevõimet.
Teadliku B2B kapitaliinvesteeringu tegemiseks peavad ostjad lahkama füüsilisi erinevusi CD ja liini/ruumi vahel, kaardistama need otse müüja seadmete spetsifikatsioonidega ja hindama aluseks olevaid optilisi kompromisse.
2. OLULINE ERINE: ISOLITEERITUD CD VS. TIHE JOON/RUUM
Et mõista, miks optilised otse{0}}kirjutustööriistad annavad isoleeritud CD ja tiheda joone/ruumi jaoks erinevaid väärtusi, tuleb uurida õhupiltide moodustamise füüsikat, optilisi lähedusefekte ja fotoresisti keemiat.
2.1 Mis on kriitiline mõõde (CD)?
Pooljuhtide metroloogias viitab kriitiline mõõde integraallülituse või MEMS-seadme mõõtmete suhtes kõige tundlikumale geomeetrilisele elemendile. Tavaliselt viitab CD isoleeritud funktsioonile:
• Galliumnitriidi (GaN) kõrg{0}}elektron-liikuvustransistori (HEMT) isoleeritud väravasõrm.
• Eraldatud optilise lainejuhi hari integreeritud fotoonikaahelas.
• MEMS-anduri isoleeritud kontaktiava või konsoolhing.
Maskideta süsteemis eraldatud joone säritamisel koondab optiline mootor särituse energia kitsale fotoresisti laiali. Kuna vahetus läheduses pole külgnevaid eksponeeritud mustreid, hajub hajutatud valgus (difraktsioonipoolsed-sagarad) kahjutult pimedasse välja. Särituse doosi, numbrilise ava ja arendusaja täpse kalibreerimisega suudab kaasaegne otse-kirjutussüsteem saavutada märkimisväärselt peened isoleeritud CD väärtused-, sageli kuni 0,4 μm.
2.2 Mis on minimaalne rida/tühik (L/S)?
Seevastu minimaalne joon/ruum viitab tihedale vahelduvate joonte ja tühikute massiivile, mis on tavaliselt konfigureeritud sammusuhtega 1:1 (võrdne joone laius ja kaeviku vahe):
• Optilised difraktsioonivõred, fotoonilised kristallid ja hajutatud tagasisidega (DFB) laserpeeglid.
• Kõrge{0}}tihedusega interdigiteeritud elektroodide (IDE) biosensorid ja mikroelektroodide massiivid (MEA).
• Tihe metalliseerimise samm ja siini marsruutimine täiustatud pakendis.
Kui optiline mootor projitseerib mitu tihedalt asetsevat kiirt või moduleeritud mikropeegelpikslit, kattuvad külgnevate joonte valguslained optilise difraktsiooni tõttu. See optiline ülekanne loob kõrgendatud "tausta intensiivsuse" joontevahelises valgustamata kraavi sees.
Aeropildi optilise kontrasti määrab modulatsiooni ülekandefunktsioon (MTF):
Kontrastsus=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Kui helikõrgus pinguldub, tõuseb I_min (intensiivsus pimedas ruumis) optiliste lähedusefektide tõttu oluliselt üle nulli. Kui õhupildi kontrastsus langeb alla fotoresisti keemilise kontrasti läve, ei suuda fotoresist säritatud joont säritamata kaevikust eristada. See tekitab klassikalisi puhasruumi defekte:
• Resist Bridging: Mittetäielik areng, kus külgnevad jooned ühinevad.
• Resist scumming: fotoresisti jääkjääk, mis on jäänud kraavi põrandasse.
• Mustri kokkuvarisemine: suure -kuvasuhte-tiheda takistuse joonte mehaaniline rike lahustiga kuivatamise ajal.
2.3 Miks MLM 200 saavutab 0,4 μm CD, kuid 0,8 μm joone/ruumi?
Selle füüsilise kaubanduse{0}}eesmärk on Nice-Techi MLM 200 mudel:
• Kriitiline mõõde (isoleeritud): 0,4 μm
• Minimaalne joon/ruum (tihedus 1:1): 0,8 μm
See parameetriprofiil on levinud suure täpsusega-otsekirjutus-litograafias. MLM 200 kasutab fokuseeritud optilist edastamismootorit, mis on võimeline kirjutama ülipeeneid isoleeritud funktsioone kuni 0,4 μm. Kui aga asetada jooned-kõrvuti-tihedasse 1:1 võrku, nõuab optilise läheduse ülekandmine minimaalset 0,8 μm vahekaugust, et tagada piisav optiline kontrast (I_max versus I_min), et kraavi täielikult ilma sildadeta puhastada.
MLM 200 on optimaalne RF-toiteseadmete arendajatele, kes kujundavad 0,4 μm GaN HEMT väravaid laia allika- äravooluvahega (2 μm kuni 5 μm). Kui aga sama arendaja üritab printida 0,4 μm / 0,4 μm tihedat võre (0,8 μm täissamm), siis optiline kontrastsus halveneb, mis viib sillastumiseni, välja arvatud juhul, kui valitakse spetsiaalselt tihedate 1:1 massiivide jaoks optimeeritud optiline süsteem.
2.4 Miks MLM 500 saavutab 0,5 μm CD ja sümmeetrilise 0,5 μm joone/ruumi?
Seevastu Nice{0}}Techi MLM 500 funktsioonid:
• Kriitiline mõõde (isoleeritud): 0,5 μm
• Minimaalne joon/ruum (tihedus 1:1): 0,5 μm
MLM 500 sisaldab suure-numbrilise-ava (kõrge-NA) projektsioonisüsteemi, mis on ühendatud täiustatud ruumilise valguse modulatsiooni ja alam-piksli servade kompenseerimisega. See optiline konfiguratsioon säilitab kõrge MTF-i kontrasti isegi kitsaste optiliste sageduste korral, võimaldades valguse intensiivsusel järsult langeda tumedates vahepiirkondades. Selle tulemusel saab tihedaid 1:1 jooni ja tühikuid sümmeetriliselt lahendada kuni 0,5 μm ilma risustamata või sildamata.
3. TEHNILISE VALIKUMAATRIKS: KENA-TEHNILINE MASTITA LITOGRAAFIA KOOSSEIS
Nice{0}}Tech toodab nelja spetsiaalset maskideta litograafiamudelit, millest igaüks on loodud konkreetsete tootmisvaldkondade ja geomeetriliste profiilide jaoks. Allolevas tabelis on toodud ametlikud tehnilised andmed:
=================================================================================================================
Mudel-CD (isoleeritud) Min joon/ruum (1:1) Esmane optiline domeen Puhta ruumi fookus
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1,0 μm Balanced High-DOF Direct Write Üldine teadus- ja arendustegevus, MEMS, mikrofluidika
MLM 200 0.4 μm 0,8 μm Fine-Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, Waveguides
MLM 400 1.0μm 2,0 μm lai-Välja kõrge-Tootlikkusega mootori paksustakistus, pakendi RDL, Power ICs
MLM 500 0.5 μm 0,5 μm kõrge-NA sümmeetriline kontrastsusmootor, tihedad optilised võred, MEA, kristallid
=================================================================================================================
3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0,8 μm|L/S: 1,0 μm)
MLM 100 on loodud mitme kasutajaga ülikoolide nanotootmiskeskuste, tööstuslike uurimis- ja arenduslaborite ning MEMS-i prototüüprajatiste mitmekülgseks selgrooks.
• Geomeetriline profiil: lahendab usaldusväärselt eraldatud tunnused kuni 0,8 μm ja tihedad perioodilised jooned kuni 1,0 μm.
• Optilised omadused: töötab optilise numbrilise avaga, mis on optimeeritud laia protsessi laiuskraadi jaoks. See tagab rikkaliku fookussügavuse (DOF tavaliselt > 5 μm kuni 10 μm, olenevalt resisti paksusest), muutes selle andeks substraadi pinna topograafia ja kerge vahvlikaare suhtes.
• Protsessi ühilduvus: ühildub standardsete positiivsete i-line / h-line novolac fotoresistidega (nagu AZ 1500, AZ 4562, Shipley S1800 seeria) ja negatiivsete resistidega (SU-8, KMPR).
• Tüüpilised rakendused: mikrofluidsed voolukanalid, biomeditsiinilised mikrokiibid, konsoolkiirendusmõõturid, akustilised resonaatorid ja standardsed vahvli{0}}taseme teststruktuurid.
• Hankesoovitus: valige MLM 100, kui teie puhasruum tegeleb erinevate projektidega, töötleb mõõdukat takistuspaksust (1,5 μm kuni 5 μm) ja ei nõua alla -poole- mikroni suurust objekti suurust.
3.2 Nice-Tech MLM 200: täpsus sub-mikroniseadmete jaoks (CD: 0,4 μm|L/S: 0,8 μm)
MLM 200 on otstarbeks-ehitatud puhaste ruumide jaoks, mis toodavad kõrgsageduslikke, liitpooljuht- ja täppisoptoelektroonilisi seadmeid, kus sub-mikroniliselt isoleeritud funktsioonid on ülimalt tähtsad.
• Geomeetriline profiil: saavutab isoleeritud liinide, väravate ja kontaktribade kriitilise mõõtme 0,4 μm, tiheda joone/ruumi võimega 0,8 μm juures.
• Optilised omadused: kasutab isoleeritud struktuuride servade kontrasti teravdamiseks spetsiaalset kiiret{0}}moodustavat optikat ja täpset särituse doosi juhtimist.
• Protsessi ühilduvus: toimib erakordselt õhukeste, suure-kontrastsusega fotoresistidega (paksus 0,5 μm kuni 1,2 μm), nagu AZ 6112, AZ 703 või SPR 700. Nõuab rangemat fookuse juhtimist kui MLM 100.
• Tüüpilised rakendused: T-värava ja seenevärava muster galliumnitriidi (GaN) ja galliumarseniidi (GaAs) HEMT-seadmete jaoks, kiired-fotodetektorid, optilise lainejuhi marsruutimine ja alam-mikronilised isoleeritud metallist tõste{3}}konstruktsioonid.
• Hankesoovitus: valige MLM 200, kui teie protsess nõuab kriitiliste isoleeritud väravate või joonte kujundamist vahemikus 0,4 μm kuni 0,8 μm, ilma et oleks vaja tihedaid perioodilisi massiive alla 0,8 μm.
3.3 Kena-Tech MLM 400: kõrge-läbilaskevõime ja paksus
MLM 400 on kohandatud seadmete jaoks, mis seavad esikohale särituse läbilaskevõime, suure-ala töötlemise ja ühilduvuse ülipaksude fotoresistidega.
• Geomeetriline profiil: konfigureeritud 1,0 μm isoleeritud CD ja 2,0 μm minimaalse joone/ruumi jaoks.
• Optilised omadused: kasutab suuremat optilist projektsioonivälja ja suure -sügavusega--optilist fookust. Laiendatud DOF (sageli > 20 μm kuni 50 μm paksude resistide puhul) tagab, et valgus tungib sügavale läbi paksude kilede külgseina nurki vähendamata.
• Läbilaskevõime eelis: kuna iga optiline kaader katab laiema säritusala, on vahvlite kirjutamisajad oluliselt kiiremad kui peenete{0}}eraldusvõime tööriistade puhul. Täielikult 100 mm või 150 mm vahvli eksponeerimine MLM 400-ga saab lõpule viia murdosaga sub-mikroniliste süsteemide jaoks kuluvast ajast.
• Protsessi ühilduvus: ideaalne paks{0}}kile fotoresistide jaoks (10 μm kuni 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polümiid, BCB).
• Tüüpilised kasutusalad: täiustatud pakendamise ümberjaotuskihid (RDL), vahvli{0}}taseme kiibi skaala pakend (WLCSP), suure voolutugevusega-pooljuhtsiinid, mikrofluidilised põhivormid, paksud galvaniseerimisvormid ja hulgi mikrotöötlusega MEMS.
• Hankesoovitus: valige MLM 400, kui teie omadused on suuremad kui 1,0 μm või sellega võrdsed, teie protsessis kasutatakse paksu kattekihti või kui suur vahvli läbilaskevõime on teie peamine äriline prioriteet.
3.4 Kena-Tech MLM 500: sümmeetriline kõrge-tihedusega eraldusvõime (CD: 0,5 μm|L/S: 0,5 μm)
MLM 500 on Nice{1}}Techi lipulaev nõudlikuks mikro-optilise, fotoonilise ja tiheda perioodilise anduri tootmiseks.
• Geomeetriline profiil: annab tasakaalustatud 0,5 μm isoleeritud CD koos 0,5 μm tiheda 1:1 joone/ruumi sammuga (1,0 μm täisvõre samm).
• Optilised omadused: kombineerib suure-NA projektsioonioptika täiustatud digitaalse mikropeegli modulatsiooni ja sub{1}}pikslite servade interpolatsiooniga. See süsteem pärsib difraktsiooni{3}}külghõlmasid ja takistab hajutatud valguse kogunemist kitsastesse kaevikutesse.
• Protsessi ühilduvus: nõuab ranget puhta ruumi temperatuuri reguleerimist (± 0,5 kraadi) ja õhukesi, kõrge kontrastsusega{1}}kindlust (0,3 μm kuni 0,8 μm).
• Tüüpilised kasutusalad: sub-mikronilised difraktsioonivõred, optilised metamaterjalid, fotoonkristalllainejuhid, tiheda pinnaakustilise laine (SAW) muundurid, interdigiteeritud biosensorid ja mikroelektroodide massiivid (MEA).
• Hankesoovitus: valige MLM 500, kui teie seadme arhitektuur tugineb suurel määral tihedatele, tihedalt pakitud perioodilistele struktuuridele poole -mikroni skaalal.
4. TULETUD INSENERIKAUBANDUS-: KIIRUS, DOF JA JOHANDUS
MLM 100, 200, 400 ja 500 vahel valides peavad insenerid arvestama ka kolme kriitilise sekundaarse parameetriga, mis mõjutavad otseselt puhaste ruumide igapäevaseid toiminguid:
4.1 Särituse kiirus (läbilaskvus) vs eraldusvõime
Igas otseses-kirjutuslitograafiatööriistas on särituse kiiruse ja optilise eraldusvõime vahel fundamentaalne füüsiline kompromiss-.
• Peen eraldusvõime (nagu MLM 200 ja MLM 500 puhul) nõuab väiksemat projitseeritud piksli suurust ja suuremat suurendust, mis tähendab, et antud valgusallika võimsuse korral eksponeeritakse sekundis vähem ruutmillimeetreid.
• Lõdvestunud eraldusvõime (nagu MLM 400 puhul) kasutab suuremaid projitseeritud piksleid, kattes digitaalse välklambi kohta suuremaid särialasid ja suurendades märkimisväärselt plaadi läbilaskevõimet.
Rusikareegel: ärge kunagi ostke suuremat eraldusvõimet, kui teie seadme arhitektuur nõuab. Kui teie kõige tihedam metalljoon on 2,5 μm, pikendab 0,4 μm tööriista valimine tarbetult ühe vahvli säritusaega minutitelt tundideni.
4.2 Fookuse sügavus (DOF) ja vastupidavuspaksus
Rayleighi fookuse sügavuse võrrand reguleerib kõiki projektsioonisüsteeme:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Pange tähele, et DOF väheneb koos numbrilise ava ruuduga. Kõrge -NA-ga objektiiv, mis on vajalik alam-poole-mikronilise eraldusvõime jaoks, tagab kitsa fookussügavuse (sageli <1,5 μm). Kui insener üritab keerutada 15 μm paksust SU-8 takistust suure NA-ga tööriistal, võib takisti ülaosa olla fookuses, samal ajal kui alumine osa muutub tugevalt häguseks, tekitades külgseinad allalõigatud või kaldu.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 tagab vajaliku teravustamise sügavuse.
• Tavaliste resistide jaoks (1,5 μm kuni 5 μm): MLM 100 tagab optimaalse eraldusvõime ja DOF-i tasakaalu.
• Üliõhukeste resistide jaoks ({0}}< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Kihtide-–-kihtide joondamine ja ülekatte täpsus
Litograafiatööriist töötab harva isoleeritult; see mustrib kihte varem söövitatud või metalliseeritud struktuuride peale.
• Ülemine optiline joondus: kõikidel Nice{0}}Tech MLM mudelitel on kõrge-resolutsiooniga masin-nägemiskaamerad, mis on võimelised automaatset viitemärgituvastust, saavutades kihtide---ülekatte täpsuse tavaliselt vahemikus ±0,5 μm kuni ±0,2 μm
• Tagakülje joondamine: hädavajalik MEMS-i jaoks -vahvliõõnte, rõhuandurite ja toiteseadme kaudu. Kui teie protsess nõuab kahepoolset-registreerimist, küsige teavet ülekande infrapuna (IR) või alumise{2}}poolse optilise kaamera konfiguratsioonide kohta.
4.4 Substraadi mitmekülgsus ja maskideta eelised
Erinevalt jäikadest kontaktjoondajatest või redutseerimisastmetest, mis nõuavad standardseid, tasaseid aluspindu, pakuvad Nice-Tech maskideta süsteemid universaalset substraadiga ühilduvust:
• Substraadi suurused: täisplaadid (2-tolline, 4-tolline, 6-tolline, 8-tolline ja 12-tolline), samuti ebakorrapärased lõhustatud matriitsi killud (kuni 5 mm × 5 mm).
• Substraadi materjalid: standardne räni, läbipaistev sulatatud ränidioksiid, kvarts, klaas, galliumnitriid (GaN), ränikarbiid (SiC), galliumarseniid (GaAs), liitiumniobaat ja painduvad polümeersubstraadid.
• Dünaamiline automaatne teravustamine:{0}}reaalajas optiline pinnajälgimine kompenseerib automaatselt substraadi vööri ja kiilu vead, tagades ühtlase fookuse kõverdatud liitpooljuhtplaatidel.
5. VAHVLI NÄIDISTESTIMINE & SEM-METROLOOGIA KONTROLLIMINE
Enne põhiseadmete ostu lõpuleviimist ei tohiks tehnilised ostjad kunagi tugineda ainult avaldatud spetsifikatsioonilehtedele. Puhasruumi tingimused, resistentsed koostised ja ilmuti keemia on rajatiste lõikes väga erinevad.
Nice-Tech julgustab potentsiaalseid kliente enne ostutellimuse väljastamist läbi viima vahvliga kokkupuute näidistesti. Kontrolliprotokoll peaks skaneeriva elektronmikroskoopia (SEM) abil hindama viit metroloogia põhiparameetrit:
1. Kriitilise mõõtme ühtsus (CDU 3σ): mõõtke siht-CD-d vähemalt 20 punkti ulatuses üle vahvli (keskel, keskel, serval), et tagada mõõtmete erinevus ±5%.
2. Tihe joone/ruumi kõrguse kliirens: veenduge ristlõike-SEM-i abil, et tihedad 1:1 kaevikud ei sisalda rämpsu, mikro-silda ega seisva-lainetala.
3. Külgseina nurk: veenduge, et fotoresist külgseina profiilid ületavad 85 kraadi (või vastavad teie protsessi nõuetele, nt retrograadsed allalõikeprofiilid tõstmiseks{2}}välja).
4. Joone servade karedus (LER) ja joone laiuse karedus (LWR): kontrollige suure-suurendusega ülalt-SEM-kujutisi, et kontrollida sujuvaid jooneservi, mis on fotoonilise lainejuhi kadumise ja RF-värava jõudluse jaoks üliolulised.
5. Ülekatte täpsus: tehke testvernier skaala olemasolevale joonduskihile, et kontrollida registreerimise korratavust kogu substraadi piirkonnas.
6. EEL-HANKE KONTROLLLOEND: MIDA VALMISTADA ENNE PAKKUMISE KÄSIMIST
Nice'ilt täpse, kohandatud hinnapakkumise ja seadmete konfiguratsiooni saamiseks{0}}Tehnika-, hanke- ja protsessiinseneride meeskonnad peaksid koostama järgmise tehnilise kontroll-loendi.
[1]. Sihtaluse substraadi spetsifikatsioon:
• Materjal: räni, kvarts, safiir, GaN, SiC, klaas või muu.
• Formaat: vahvli läbimõõt (nt 4-tolline, 6-tolline, 8-tolline) või väikesed lõhustatud laastud (nt 10 mm × 10 mm).
• Pinna seisukord: poleeritud, metalliseeritud, läbipaistev või painutatud (täpsustage kaar mikromeetrites).
[2]. Funktsiooni geomeetria nõuded:
• Minimaalne kriitiline mõõde (isoleeritud joon, värav või kontaktava).
• Minimaalne rida/ruum (tihe massiivi kõrguse nõue).
• Kriitilise kihi tolerants (nt siht-CD ± 5%).
[3]. Fotoresisti protsess:
• Fotoresisti tüüp: positiivne, negatiivne või kahetooniline{0}}.
• Fotoresisti nimi: (nt AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Sihtkihi paksus: (nt 0,8 μm, 2,5 μm, 25 μm).
[4]. Joondamise ja kihistamise nõuded:
• Ühekihiline säritus või mitmekihiline{0}}registreerimine.
• Joondamismeetod: ülemise külje optiline või tagumine infrapuna (IR).
• Sihtülekatte täpsus: (nt < 0,5 μm).
[5]. Läbilaskevõime ja tootmismaht:
• Eeldatav vahvlimaht: (nt 5 vahvlit nädalas teadus- ja arendustegevuse jaoks vs . 50 vahvlit päevas katsetootmise puhul).
• Automatiseerimisnõue: substraadi käsitsi laadimine või pool{0}}kassettide käsitsemine.
[6]. Paigutuse andmevorming:
• Valmis kujundusfailid: GDSII, OASIS, DXF või CIF.
7. KOKKUVÕTE JA JÄRGMISED SAMMUD: PARTNERLUS NICE-TECHNIKAGA
Õige maskideta litograafiasüsteemi valimiseks on vaja tasakaalustada isoleeritud CD-d, tihedat joont/ruumi sammu, fookuse sügavust, takistuse paksust ja tootmiskiirust.
• Kui teie puhasruum vajab kõikehõlmavat uurimis- ja arendustegevust{0}}, pakub MLM 100 ületamatut mitmekülgsust ja protsesside laiust.
• Kui teie tähelepanu keskmes on RF- ja jõuelektroonika sub-mikronilised isoleeritud funktsioonid, pakub MLM 200 CD täpsust 0,4 μm.
• Kui teie rajatis käsitleb paksu resiste, täiustatud pakendeid või nõuab maksimaalset läbilaskevõimet, on MLM 400 tööstusstandard.
• Kui teie rakendused nõuavad tihedaid 0,5 μm tihedaid 1:1 perioodilisi massiive, võreid või fotoonstruktuure, pakub MLM 500 sümmeetrilist optilist tipptaset.
Kas olete valmis oma disainilahendusi kenas{0}}tehnilise maskideta litograafiasüsteemis hindama?
Külastage Nice{0}}Techi ametlikku tootelehte, et uurida masina üksikasjalikke tehnilisi andmeid:
Võtke ühendust meie vanemrakenduste insenerimeeskonnaga aadressil dmjsemi.com, et esitada oma CAD/GDSII testimustrid tasuta näidisplaadiga kokkupuute ja SEM-metroloogia kontrollimiseks. Konfigureerime varustuse ettepaneku, mis on loodud spetsiaalselt teie puhta ruumi tehnilise ja eelarveplaani jaoks.
